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長江存儲日前推出了自有品牌的搭載鈦技術(shù)的ssd硬盤。 sata和m.2接口復(fù)蓋了市場主流，意味著長江存儲閃存市場的配置更進(jìn)一步。

長江存儲的研發(fā)、閃存的生產(chǎn)，離不開與主要廠商的合作，在這方面長江存儲已經(jīng)得到群聯(lián)、慧榮、聯(lián)藝、憶芯等國內(nèi)外廠商的支持。

慧榮科技和長江存儲器今日宣布，旗下閃存主全面支持長江存儲器的xtacking 3d nand閃存。 包括今年4月公布的128層qlc閃存。

慧榮科技全系列主控芯片支持長江存儲xtacking 3d nand，產(chǎn)品如下。

用于公司級/數(shù)據(jù)中心和計算機(jī)的固態(tài)硬盤主芯片

SATA6GB/秒固態(tài)硬盤主芯片

第4代pcie4x4納米1.4固態(tài)硬盤主芯片

第3代pcie x4納米1.3固態(tài)硬盤主芯片

usb 3.1 / usb 2.0主控芯片

用于移動設(shè)備的emmc/ufs主芯片

高速隨機(jī)讀寫性能的單通道emmc 5.1主芯片

ufs 3.1主芯片適用于嵌入式ufs、umcp和ufs卡

預(yù)計很快xtacking 3d nand+pcie 4.0的國產(chǎn)ssd將登場。

這些產(chǎn)品除了pcie 3.0主機(jī)外，還包括新一代的pcie 4.0主機(jī)

從2005年開始研究開發(fā)，終于在2006年成功進(jìn)行了研究開發(fā)

xtacking閃存是長江存儲器獨自開發(fā)的3d閃存架構(gòu)。

與以往的閃存相比，xtacking在兩片獨立的晶片上分別加工負(fù)責(zé)i/o傳輸和存儲單元的電路，通過成熟的xtacking工藝進(jìn)行晶片接合而成為一個。

該體系結(jié)構(gòu)帶來了更先進(jìn)的制造工藝，降低了制造工序的復(fù)雜性，使nand能夠獲得更高的i/o傳輸速度、更高的密度和更小的芯片面積。

io速度為800mbps，是行業(yè)水平的兩倍

在目前采用的第一代xtacking體系結(jié)構(gòu)中，存儲密度是行業(yè)水平的5倍。

xtacking 2.0有望將nand io速度提高到3.0gbp

去我的5月份，長江存儲發(fā)布了xtacking 2.0技術(shù)，再次提升了xtacking閃存的性能，與行業(yè)1.0-1.4gbps的io接口速度相比，s與dram ddr4的i/o速度相當(dāng)。 這對nand領(lǐng)域很有吸引力。